特許
J-GLOBAL ID：200903058307044530

結晶性半導体膜の形成方法及び結晶性半導体膜、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者：
福山 恵一

福山 恵一 について

, 
前川 真司

前川 真司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 祐二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-401753
公開番号（公開出願番号）：特開2005-166813
出願日： 2003年12月01日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 プロセスが単純で低コストな結晶性半導体膜の形成方法を提供する。【解決手段】 結晶性半導体膜の形成方法は、ガラス基板5上に島状に形成されたアモルファスシリコン膜10に、上記ガラス基板5を加熱する第2のエネルギービーム9を照射するとともに、第2のエネルギービーム9の照射範囲に重なるように上記島状アモルファスシリコン膜10を加熱する第1のエネルギービーム8をマスクを介して照射し、上記第1及び第2のエネルギービーム8,9の照射範囲をオーバーラップさせた状態で第1及び第2のエネルギービーム8,9をガラス基板5の一方向に走査することにより、結晶を第1及び第2のエネルギービーム8,9の走査方向に延在させるものであり、島状のアモルファスシリコン膜10の少なくとも一部が第1及び第2のエネルギービーム8,9の互いに重なる走査領域31に含まれることを特徴とする。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板上に形成された半導体膜に対し、前記基板を加熱する第2のエネルギービームを照射するとともに、前記第2のエネルギービームの照射範囲に重なるように前記半導体膜を加熱する第1のエネルギービームをマスクを介して照射することにより、結晶を横方向成長させて結晶性半導体膜を形成する方法であって、 前記半導体膜の一部を除去して除去部を形成し、 前記除去部の少なくとも一部が前記第1及び第2のエネルギービームの互いに重なる照射範囲の少なくとも一部に含まれ、且つ、前記半導体膜と前記除去部との境界の少なくとも一部が前記半導体膜の結晶成長方向と交差するように、前記第1及び第2のエネルギービームを照射することを特徴とする結晶性半導体膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (3件)：
H01L21/20 ,  H01L21/268 J ,  H01L29/78 627G
Fターム (32件)：
5F052AA02 ,  5F052BA04 ,  5F052BA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052BB06 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052FA02 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP24 ,  5F110PP35
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (8件)
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