半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-357190
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257862
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 TFTの配置に合わせた結晶粒の位置制御と、結晶化工程の処理速度の向上を同時に解決することを目的とする。より特定すれば、人工的に制御したスーパーラテラル成長による大粒結晶を連続的に形成させることができ、レーザー結晶化工程における基板処理効率を高めることができる半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】レーザー照射前に、島状半導体膜とマーカーを形成しておく。基板面内の半導体膜全体にレーザー照射するのではなく、少なくとも必要不可欠な部分が最低限結晶化できるように、マーカーを位置基準とする。レーザー結晶化にかかる時間を短縮化することができるので基板の処理速度を向上させることができる。上記構成を従来のSLS法に対して適用することにより、従来のSLS法の基板処理効率が悪いという問題を解決するための手段となる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタが設けられた半導体装置の作製方法であって、前記基板上に非単結晶半導体膜を形成し、前記薄膜トランジスタの配置情報に基づいて、前記非単結晶半導体膜に、マーカーと前記薄膜トランジスタの活性層形成領域を内包する特定領域である島状半導体層Aを形成し、前記マーカーを位置基準として、前記島状半導体層Aに選択的にレーザー光を照射して、結晶化領域を形成し、前記島状半導体層Aの一部をエッチングして、前記薄膜トランジスタの活性層領域となる島状半導体層Bに形成する各段階を含み、前記島状半導体層Aは、その輪郭の少なくとも一部が、山形の形状が複数個連なっている形状または鋸刃形状であり、前記レーザー光は、照射面における断面形状が線形状または矩形状であり、その短尺方向の、エネルギー分布がガウシアン形状またはフラットトップ形状であり、該エネルギー分布におけるピーク位置から強度が50%になるまでの減衰領域巾が10μm以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/1368

FI (5件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 612 B

Fターム (98件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092MA30 , 2H092NA27 , 5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BA18 , 5F052BB01 , 5F052BB03 , 5F052BB05 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA16 , 5F052FA02 , 5F052FA03 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052FA22 , 5F052FA28 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG23 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP24 , 5F110PP34 , 5F110PP40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (14件)

レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-079477 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭59-046021
半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-255719 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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