特許
J-GLOBAL ID：200903059258739698

レーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法

発明者：
浦入 正勝

浦入 正勝 について

, 
高橋 智一

高橋 智一 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (4件)： 鈴木 崇生 ,  梶崎 弘一 ,  尾崎 雄三 ,  谷口 俊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062674
公開番号（公開出願番号）：特開2005-252094
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】レーザー光により半導体ウエハを切断する場合に、分解物による半導体ウエハ表面の汚染を効果的に抑制することができ、半導体ウエハを高精度・高速に切断でき、かつ個片化した半導体チップを容易に回収でき、さらに半導体チップを容易にダイボンドすることのできるレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シートを提供する。【解決手段】基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率(エッチング速度/エネルギーフルエンス)が0.4〔(μm/pulse)/(J/cm2 )〕以上であり、かつ基材のエッチング率(エッチング速度/エネルギーフルエンス)が0.4〔(μm/pulse)/(J/cm2 )〕未満であるレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基材上に少なくとも粘着剤層が設けられており、粘着剤層のエッチング率(エッチング速度/エネルギーフルエンス)が0.4〔(μm/pulse)/(J/cm2 )〕以上であり、かつ基材のエッチング率(エッチング速度/エネルギーフルエンス)が0.4〔(μm/pulse)/(J/cm2 )〕未満であることを特徴とするレーザーダイシング・ダイボンド用粘着シート。
IPC (5件)：
H01L21/301 ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00
FI (6件)：
H01L21/78 M ,  C09J5/00 ,  C09J7/02 A ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/78 B
Fターム (28件)：
4J004AA12 ,  4J004AA13 ,  4J004AB06 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CB03 ,  4J004CC03 ,  4J004CD02 ,  4J004CE01 ,  4J004EA06 ,  4J004FA08 ,  4J040EB02 ,  4J040EB06 ,  4J040EB07 ,  4J040EC06 ,  4J040EC08 ,  4J040EC10 ,  4J040EC13 ,  4J040EC15 ,  4J040HB22 ,  4J040HC01 ,  4J040HC17 ,  4J040HC22 ,  4J040KA16 ,  4J040KA17 ,  4J040MA10 ,  4J040MA11 ,  4J040NA20
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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