特許
J-GLOBAL ID：200903059289405020
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181072
公開番号（公開出願番号）：特開2007-005401
出願日： 2005年06月21日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】貫通配線と各パッドとの接触信頼性を高めることが可能でチップ歩留まりの向上を図れる半導体装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】半導体基板1の厚み方向に貫設された貫通孔2の内側に絶縁膜3を介して金属(例えば、銅、ニッケルなど)からなる貫通配線4が形成され、貫通配線4の長手方向の両端面それぞれにパッド5,6が積層されている。ここにおいて、絶縁膜3は、半導体基板1の貫通孔2の内周面だけでなく、半導体基板1の厚み方向の両面にも形成されており、各パッド5,6は、半導体基板1の両面側それぞれにおいて、貫通配線4の端面と絶縁膜3の表面とに跨って形成されている。貫通孔2は、半導体基板1の一面側において当該一面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるとともに、半導体基板1の他面側において当該他面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなる形状に形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の厚み方向に貫設された貫通孔の内側に絶縁膜を介して金属からなる貫通配線が形成され、半導体基板の厚み方向の両面側でそれぞれで貫通配線の端面および貫通孔の周部に重なるように形成されたパッドを有する半導体装置であって、貫通孔は、少なくとも半導体基板の両面のうちの一面側において当該一面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなる形状に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F033GG02
, 5F033JJ07
, 5F033JJ11
, 5F033MM30
, 5F033NN32
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP26
, 5F033QQ07
, 5F033QQ12
, 5F033QQ19
, 5F033QQ22
, 5F033QQ23
, 5F033QQ47
, 5F033QQ48
, 5F033SS11
, 5F033SS25
, 5F033TT07
, 5F033XX00
出願人引用 (1件)
-
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-007461
出願人：新光電気工業株式会社
審査官引用 (7件)
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