特許
J-GLOBAL ID：200903059450227307

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
小林 光

小林 光 について


出願人/特許権者：
独立行政法人 科学技術振興機構

独立行政法人 科学技術振興機構 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083571
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296528
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】ゲート電極へのドーピングや他種類のゲート電極材料を用いることなしに、また、半導体へのイオン注入を用いることなく、簡便かつ確実に闘値電圧を低下、または制御することができる半導体装置の製造方法、および半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1表面に絶縁膜6を有する半導体装置の製造方法において、上記半導体基板1表面に、絶縁膜の母体基板4を形成する絶縁膜母体基板形成工程と、上記絶縁膜母体基板形成工程によって得られる絶縁膜の母体基板4上に、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物を吸着させるCs吸着工程と、上記Cs吸着工程によって得られる、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物が吸着した絶縁膜の母体基板8を加熱処理して、セシウムを含有する絶縁膜を形成させる加熱処理工程とを有する半導体装置の製造方法によれば、閾値電圧を十分低下させた半導体装置を提供できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板表面に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、 上記半導体基板表面に、絶縁膜の母体基板を形成する絶縁膜母体基板形成工程と、 上記絶縁膜母体基板形成工程によって得られる絶縁膜の母体基板上に、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物を吸着させるCs吸着工程と、 上記Cs吸着工程によって得られる、セシウムの単体またはセシウムを含む化合物が吸着した絶縁膜の母体基板を加熱処理して、セシウムを含有する絶縁膜を形成させる加熱処理工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/94
FI (6件)：
H01L21/02 Z ,  H01L21/316 A ,  H01L29/94 Z ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 617T
Fターム (61件)：
5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC04 ,  5F058BC10 ,  5F058BC12 ,  5F058BE10 ,  5F058BF46 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA08 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF21 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110NN62 ,  5F110NN66 ,  5F140AA02 ,  5F140AA06 ,  5F140AC36 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG30 ,  5F140CB01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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