特許
J-GLOBAL ID:200903059542805463
X線分析方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-228827
公開番号(公開出願番号):特開2000-055841
出願日: 1998年08月13日
公開日(公表日): 2000年02月25日
要約:
【要約】【課題】 X線分析方法に関し、X線を用いる分析に於いて、試料である膜中のX線強度を従来の技術に比較して増加させることができるようにし、膜中の微量な元素の濃度や膜の化学結合評価を高精度で測定できるようにする。【解決手段】 元素濃度或いは化学結合状態などを評価する為の測定対象である元素を含んだ薄膜13を第1の高密度層12及び第2の高密度層14で挟んでなる試料を用意し、前記試料に対してX線を入射して薄膜13中で多重反射させることに依って定在波を生成させ、その定在波の生成で測定対象の元素とX線との相互作用を増加させて蛍光X線強度或いは光電子強度を高めて検出する。
請求項(抜粋):
元素濃度或いは化学結合状態などを評価する為の測定対象である元素を含んだ薄膜を第1の高密度層及び第2の高密度層で挟んでなる試料を用意し、前記試料に対してX線を入射して前記薄膜中で多重反射させることに依って定在波を生成させ、前記定在波の生成で測定対象の元素とX線との相互作用を増加させて蛍光X線強度或いは光電子強度を高めて検出することを特徴とするX線分析方法。
IPC (3件):
G01N 23/223
, G01N 23/227
, H01L 21/66
FI (3件):
G01N 23/223
, G01N 23/227
, H01L 21/66 N
Fターム (22件):
2G001AA01
, 2G001BA04
, 2G001BA08
, 2G001BA18
, 2G001CA01
, 2G001CA03
, 2G001DA02
, 2G001GA01
, 2G001GA09
, 2G001GA13
, 2G001JA08
, 2G001JA14
, 2G001KA01
, 2G001KA12
, 2G001MA05
, 2G001PA07
, 4M106AA01
, 4M106AA12
, 4M106BA20
, 4M106CB21
, 4M106DH01
, 4M106DH25
引用特許:
審査官引用 (8件)
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X線解析装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-161753
出願人:株式会社日立製作所
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薄膜構造の解析方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-118597
出願人:株式会社日立製作所
-
X線分析装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-207802
出願人:株式会社日立製作所
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引用文献:
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