特許
J-GLOBAL ID：200903060071086516

半導体装置およびその製造方法

発明者：
金村 龍一

金村 龍一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-206399
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027347
出願日： 2005年07月15日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】保護絶縁膜で配線溝および接続孔の内面に露出する多孔質の低誘電率膜を被覆することで、導通不良、耐圧不良、信頼性不良等の不具合を抑制して、高性能かつ高歩留まり、高信頼性の多層配線を提供することを可能とする。【解決手段】多孔質の低誘電率膜21を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成された配線溝23とこの配線溝23に接続する接続孔24と、配線溝23の内面と接続孔24の側壁に露出した多孔質の低誘電率膜21を被覆するように接続孔24底部を除く接続孔24の内面および配線溝23の内面に形成された保護絶縁膜25と、配線溝23の内面および接続孔24の内面に保護絶縁膜25を介して形成されたバリアメタル膜26と、配線溝23の内部および接続孔24の内部に保護絶縁膜25、バリアメタル膜26を介して形成された配線材料膜28とを備えたものである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
多孔質の低誘電率膜を有する層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に形成された配線溝とこの配線溝に接続する接続孔と、 前記配線溝の内面と前記接続孔の側壁に露出した前記多孔質の低誘電率膜を被覆するように前記接続孔底部を除く前記接続孔の内面および前記配線溝の内面に形成された保護絶縁膜と、 前記配線溝の内面および前記接続孔の内面に前記保護絶縁膜を介して形成されたバリアメタル膜と、 前記配線溝の内部および前記接続孔の内部に前記保護絶縁膜および前記バリアメタル膜を介して形成された配線材料膜と を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320
FI (3件)：
H01L21/90 N ,  H01L21/90 A ,  H01L21/88 B
Fターム (51件)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK12 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT01 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX12 ,  5F033XX14 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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