特許
J-GLOBAL ID:200903060072065288

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 奥田 誠司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-371422
公開番号(公開出願番号):特開2004-207298
出願日: 2002年12月24日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】TFTオフ動作時にリーク電流が増大する現象を防止することにより、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、チャネル領域110、ソース領域115およびドレイン領域115を含む半導体層と、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜107と、チャネル領域の導電性を制御するゲート電極108とを有する薄膜トランジスタ118を備えており、半導体層の表面は微小な凸部を有しており、ゲート電極108の側面の傾斜角は半導体層の凸部の傾斜角よりも大きい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
チャネル領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記チャネル領域の導電性を制御するゲート電極とを有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、前記半導体層の表面は微小な凸部を有しており、前記ゲート電極の側面の傾斜角は、前記半導体層の前記凸部の傾斜角よりも大きい、半導体装置。
IPC (4件):
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/786
FI (8件):
H01L29/78 618Z ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 617L
Fターム (109件):
2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092HA28 ,  2H092JA25 ,  2H092JA28 ,  2H092JA29 ,  2H092JA37 ,  2H092JA38 ,  2H092JA40 ,  2H092JA41 ,  2H092KA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB03 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA12 ,  5F052FA19 ,  5F052GB04 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG21 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG51 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP40 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ28
引用特許:
審査官引用 (8件)
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