分子線エピタキシーを用いて半導体デバイス内に活性領域を成長させる方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-093338
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260341
出願日： 2009年04月07日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】基板および活性領域を有する(Al,Ga,In)N半導体デバイスの作製方法が提供される。【解決手段】当該方法は、活性領域を、(i)プラズマアシスト分子線エピタキシーと、(ii)上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において解離する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーと、の組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板および活性領域を有する(Al,Ga,In)N半導体デバイスを製造する方法であって、上記活性領域を、(i)プラズマアシスト分子線エピタキシーと、(ii)上記活性領域が成長される温度で上記基板の表面において分解する窒素含有分子を含むガスを使用した分子線エピタキシーとの組み合わせを用いて成長させるステップを含んでいる、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 , H01S 5/343 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L21/203 M , H01S5/343 610 , H01L33/00 C

Fターム (18件)：

5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA66 , 5F103AA04 , 5F103BB06 , 5F103DD01 , 5F103GG01 , 5F103GG10 , 5F103JJ01 , 5F103JJ03 , 5F103LL03 , 5F103NN10 , 5F103RR06 , 5F173AF08 , 5F173AH22 , 5F173AP10

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-029946 出願人：シャープ株式会社
III-V族窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-232169 出願人：シャープ株式会社
化合物半導体の形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-096916 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (7件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-029946 出願人：シャープ株式会社
III-V族窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-232169 出願人：シャープ株式会社
III族窒化物薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-160139 出願人：株式会社アルバック

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引用文献：

出願人引用 (1件)

第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 20030830, p.322

審査官引用 (1件)

第64回応用物理学会学術講演会講演予稿集, 20030830, p.322

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