特許
J-GLOBAL ID：200903060347806330

半導体装置およびその製造方法

発明者：
門島 勝

門島 勝 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-392697
公開番号（公開出願番号）：特開2005-158885
出願日： 2003年11月21日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 MISトランジスタの電気的特性の劣化や歩留まりの低下を抑制しながら、n型MISトランジスタとp型MISトランジスタの両方でしきい値電圧を下げることができる半導体装置およびその製造技術を提供する。【解決手段】 半導体基板1上にn型MISトランジスタQ1およびp型MISトランジスタQ2を形成する。n型MISトランジスタQ1のゲート電極9aは、アモルファス化した窒化タンタル膜6aとタングステン膜8より形成される。一方、p型MISトランジスタQ2のゲート電極9bは、結晶化した窒化タンタル膜6cとタングステン膜8より形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a1)半導体基板上に形成された第1ゲート絶縁膜と、 (a2)前記第1ゲート絶縁膜上に形成された第1ゲート電極と、 を有するnチャネル型MISトランジスタと、 (b1)前記半導体基板上に形成された第2ゲート絶縁膜と、 (b2)前記第2ゲート絶縁膜上に形成された第2ゲート電極と、 を有するpチャネル型MISトランジスタとを備え、 前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極の構成材料は同じ金属または同じ金属化合物である一方、結晶性が異なることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G
Fターム (105件)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD85 ,  4M104FF06 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA06 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BG08 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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