半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009291
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218468
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 Alを導入する必要がなく、青、緑といった可視光の波長領域のレーザ光を室温で連続発振するGaN系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】少なくともクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、クラッド層がGaNにより構成されるとともに、ガイド層及び活性層がInGaNにより構成されてなる半導体レーザ素子である。活性層のIn組成はガイド層のIn組成よりも高く、且つ活性層のIn組成は20原子%以上である。クラッド層のバンドギャップと活性層のバンドギャップのエネルギー差を0.5eV以上とし、活性層のIn組成を20〜30原子%、活性層厚を1〜10nmとすることにより青色半導体レーザ素子となり、活性層のIn組成を30〜50原子%、活性層厚を1〜10nmとすることにより緑色半導体レーザ素子となる。

請求項（抜粋）：

少なくともクラッド層、ガイド層及び活性層を有し、クラッド層がGaNにより構成されるとともに、ガイド層及び活性層がInGaNにより構成され、活性層のIn組成がガイド層のIn組成よりも高く、且つ活性層のIn組成が20原子%以上であることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (9件)：

5F073AA04 , 5F073AA45 , 5F073AA73 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073CA07 , 5F073CB10 , 5F073DA05 , 5F073EA07

引用特許：

審査官引用 (10件)

窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-139495 出願人：日亜化学工業株式会社
ミニバンドを有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052135 出願人：シャープ株式会社
半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-117948 出願人：シャープ株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

イントロダクトリートーク:「窒化物光半導体のフロンティア」 -材料潜在能力の極限発現-

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