気相成長装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：森哲也 , 内藤嘉昭 , 崔秀▲てつ▼ , 宮崎忠之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-028901
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216830
出願日： 2005年02月04日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：

【課題】原料ガス、キャリアガスの冷却能力、原料ガスの利用効率及び成長膜の品質を向上させる。【解決手段】成長室1に、基板保持台2と、加熱手段3と、基板Sに原料ガス及びキャリアガスを供給するガス供給部5とを備えた気相成長装置において、ガス供給部5が成長室1の天板をなす円盤体であり、その上部にガス導入口11〜15とガス分配空間を設け、下面に全域に亙って複数のガス噴出口を設け、ガス分配空間とガス噴出口を連通するガス通路を基板保持台2の軸線Yと平行に設け、円盤体の外周に冷媒ジャケット20を形成し、円盤体の中心部から半径方向に延びる冷媒集合通路を3箇所以上設けて冷媒排出口23を接続し、冷媒ジャケット20から冷媒集合通路へ連通する冷媒通路を、上下段に、且つガス通路を四囲から冷却するよう配設する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成長室に、基板を載置する回転自在な基板保持台と、基板保持台を加熱する加熱手段と、基板保持台と対向する位置に設けられ基板に向けて原料ガス及びキャリアガスを供給するガス供給部とを備えた気相成長装置であって、ガス供給部が成長室の天板を構成する円盤体であり、円盤体の上部にガス導入口とガス分配空間とからなるガス導入部を設け、円盤体の下面には全域に亙って複数のガス噴出口を設け、ガス分配空間とガス噴出口とを連通するガス通路を基板保持台の軸線と平行に設け、円盤体の外周に円環状の冷媒ジャケットを形成し、円盤体の中心部から半径方向に延びて外周付近に到る冷媒集合通路を3箇所以上設けて円盤体の中心部で冷媒集合通路に冷媒排出口を接続し、冷媒ジャケットから冷媒集合通路へ連通する冷媒通路を、上下複数段に、且つガス通路を四囲から冷却する冷却区画を形成するよう配設したことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/455

Fターム (18件)：

4K030AA11 , 4K030EA03 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030GA05 , 4K030KA26 , 5F045AA04 , 5F045AB12 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC19 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EC01 , 5F045EF05 , 5F045EJ01 , 5F045EJ04

引用特許：

出願人引用 (9件)

化学蒸着装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-524855 出願人：エムコア・コーポレイション
基板表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-237519 出願人：株式会社天谷製作所
枚葉式の熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-016405 出願人：東京エレクトロン株式会社

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