特許
J-GLOBAL ID：200903060983762849

反応性ゲート電極導電性バリア

発明者：
ジョン, エフ. コンリー, ジュニア

ジョン, エフ. コンリー, ジュニア について

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ヨシ, オノ

ヨシ, オノ について

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ウェイ ガオ

ウェイ ガオ について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-009708
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244186
出願日： 2005年01月17日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】ゲート電極をその下のゲート絶縁膜から保護するための方法、および対応するトランジスタ構造を提供すること。【解決手段】 本発明の方法は、チャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、ゲート絶縁膜上に、5ナノメータ(nm)未満の厚みを有する第1金属バリアを形成する工程と、第1金属バリア上に、10nmより大きい厚みを有する第2金属ゲート電極を形成する工程と、第2金属ゲート電極の金属にのみ応答するゲート電極仕事関数を確立する工程とを含む。第2金属ゲート電極は、p+ポリ、n+ポリ、Ta、W、Re、RuO2、Pt、Ti、Hf、Zr、Cu、V、Ir、Ni、Mn、Co、NbO、Pd、Mo、TaSiNおよびNbなどの元素金属、ならびにWN、TaNおよびTiNなどの2価金属の1つであり得る。第1の金属バリアはTaN、TiNまたはWNなどの2価金属であり得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応性金属ゲート電極を有するMOSFETにおいて該ゲート電極を該ゲート電極の下のゲート絶縁膜から保護する方法であって、 チャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、 該ゲート絶縁膜上に第1の金属バリアを形成する工程と、 該第1の金属バリア上に第2の金属ゲート電極を形成する工程と、 該第2の金属ゲート電極の金属にのみ応答するゲート電極仕事関数を確立する工程と、 を含む方法。
IPC (6件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C
Fターム (41件)：
4M104AA01 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH09 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BG12 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BD04 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF14 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF44 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140CB01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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