特許
J-GLOBAL ID:200903061144742782
マイクロアレイチップの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-173150
公開番号(公開出願番号):特開2004-020280
出願日: 2002年06月13日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】スポットされたDNAが濡れ広がるといった不具合の無いマイクロアレイチップの製造方法の提供。【解決手段】エネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を有するマイクロアレイチップ用基材6および光触媒処理層側基板3を、前記光触媒処理層および前記特性変化層が向かい合うように、かつ、200μm以下の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に特性の違いによるパターンを形成するパターン形成工程と、前記マイクロアレイチップ用基材から前記光触媒処理層側基板を取り外す取り外し工程と、前記特性変化層の特性の違いによるパターンにより、固定化層10を形成する固定化層形成工程と、前記固定化層上に特異性生体高分子11を固定させる特異性生体高分子固定工程とを少なくとも有することを特徴とするマイクロアレイチップの製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
エネルギー照射に伴う光触媒の作用により特性が変化する特性変化層を有するマイクロアレイチップ用基材を調整するマイクロアレイチップ用基材調整工程と、
基板上に少なくとも光触媒を含有する光触媒処理層が形成されている光触媒処理層側基板を用い、前記マイクロアレイチップ用基材および前記光触媒処理層側基板を、前記光触媒処理層および前記特性変化層が向かい合うように、かつ、200μm以下の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギーを照射することにより、前記特性変化層表面に特性の違いによるパターンを形成するパターン形成工程と、
前記マイクロアレイチップ用基材から前記光触媒処理層側基板を取り外す取り外し工程と、
前記特性変化層の特性の違いによるパターンにより、パターン状に固定化層を形成する固定化層形成工程と、
前記固定化層上に特異性生体高分子を固定させる特異性生体高分子固定工程と、
を少なくとも有することを特徴とするマイクロアレイチップの製造方法。
IPC (5件):
G01N33/53
, B01J35/02
, C12M1/00
, G01N33/543
, G01N37/00
FI (6件):
G01N33/53 M
, B01J35/02 J
, C12M1/00 A
, G01N33/543 525G
, G01N33/543 525U
, G01N37/00 102
Fターム (37件):
4B029AA07
, 4B029BB20
, 4B029CC03
, 4B029CC08
, 4B029FA12
, 4G069AA03
, 4G069AA08
, 4G069BA04A
, 4G069BA04B
, 4G069BA13A
, 4G069BA14A
, 4G069BA14B
, 4G069BA17
, 4G069BA22A
, 4G069BA48A
, 4G069BB04A
, 4G069BB06A
, 4G069BC12A
, 4G069BC21A
, 4G069BC21B
, 4G069BC22A
, 4G069BC25A
, 4G069BC35A
, 4G069BC50A
, 4G069BC60A
, 4G069BC66A
, 4G069BE32A
, 4G069BE32B
, 4G069EA11
, 4G069EB15Y
, 4G069ED02
, 4G069FA03
, 4G069FB01
, 4G069FB23
, 4K030CA00
, 4K030FA06
, 4K030HA00
引用特許:
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