特許
J-GLOBAL ID:200903061190587651

ウェ-ハの分割方法及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-025469
公開番号(公開出願番号):特開2000-195826
出願日: 1997年07月23日
公開日(公表日): 2000年07月14日
要約:
【要約】【課題】ダイシング時におけるチッピングを防止できるウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】半導体素子が形成されたウェーハ21上に格子状に配置されたダイシングラインに沿って上記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝22を形成し、上記ウェーハにおける半導体素子の形成面21’上に保持用のシート26を貼り付け、研削用砥石28とウェーハの両方を回転させながら、上記ウェーハの裏面を完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する特徴としている。ウェーハの裏面を研削することによってウェーハを個々のチップに分離するので、ハーフカット法でダイシングした後、外力を加えて分割する方法やフルカット法でシートまで切り込んで切断し、分離する従来の方法に比してダイシングの際のチッピングを抑制できる。
請求項(抜粋):
半導体素子が形成されたウェーハのダイシングラインに沿って、前記半導体素子の形成面側から完成時のチップの厚さよりも深い溝を形成する工程と、前記ウェーハにおける半導体素子の形成面上に保持部材を取り付ける工程と、研削用砥石と前記ウェーハとの両方を回転させながら、前記ウェーハの裏面を前記完成時のチップの厚さまで研削し、ウェーハを個々のチップに分離する工程とを具備することを特徴とするウェーハの分割方法。
引用特許:
審査官引用 (26件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-236260   出願人:株式会社東芝
  • ペレットの製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-141237   出願人:株式会社東芝
  • 半導体製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-277793   出願人:沖電気工業株式会社
全件表示

前のページに戻る