特許
J-GLOBAL ID：200903061281231515
多層配線基板の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-197758
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016357
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：
【要約】【課題】 コア基材の両面に形成された電解銅めっき層の膜厚を均一に薄くすることができ、かつそれを低コストで行なうことができる多層配線基板の製造方法、及びその製造方法を用いて作成された半導体装置を提供すること。【解決手段】 コア基材102の厚さ方向にスルーホール(貫通孔)102aを形成する開口工程と、このコア基材102の表面及びスルーホール102aの内壁に電解銅めっき層(金属めっき層)110を形成するめっき工程と、スルーホール102aにスルーホール穴埋め樹脂109を充填する樹脂充填工程と、この樹脂充填工程の後に、スルーホール穴埋め樹脂109で覆われていない部分の電解銅めっき層110をエッチングして該部分の膜厚を薄くするエッチング工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
コア基材の厚さ方向に貫通孔を形成する開口工程と、前記コア基材の表面及び前記貫通孔の内壁に金属めっき層を形成するめっき工程と、前記貫通孔に樹脂を充填する樹脂充填工程と、前記樹脂充填工程の後に、前記樹脂で覆われていない部分の前記金属めっき層をエッチングして該部分の膜厚を薄くするエッチング工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H01L 23/12
, H05K 3/42 620
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 X
, H05K 3/42 620 A
, H01L 23/12 N
5E317AA24
, 5E317CC25
, 5E317CC31
, 5E317CD01
, 5E317CD25
, 5E317CD27
, 5E317GG17
, 5E346AA02
, 5E346AA06
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346DD25
, 5E346DD50
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346HH24
, 5E346HH31
