特許
J-GLOBAL ID：200903061309453896
導波路型フォトダイオードおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高田 守
, 葛野 信一
, 高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306292
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146408
出願日： 2002年10月21日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：
【課題】光吸収層およびブロック層への不純物の拡散が小さい導波路型フォトダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上2で、n型クラッド層8、n型光閉じ込め層9、i型光吸収層10、p型光閉じ込め層11およびp型クラッド層12がこの順にFe-InPブロック層14に埋め込まれている導波路型フォトダイオードにおいて、前記p型光閉じ込め層11および前記p型クラッド層12の少なくとも一方におけるp型不純物がBe、MgおよびCよりなる群から選ばれる1の材料であることを特徴とする。i型光吸収層10とp型光閉じ込め層11の間にアンドープ層が形成されていることが好ましい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上で、n型クラッド層、n型光閉じ込め層、i型光吸収層、p型光閉じ込め層およびp型クラッド層がこの順にFe-InPブロック層に埋め込まれている導波路型フォトダイオードにおいて、
前記p型光閉じ込め層および前記p型クラッド層の少なくとも一方におけるp型不純物がBe、MgおよびCよりなる群から選ばれる1の材料であることを特徴とする導波路型フォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F049MA03
, 5F049MB07
, 5F049MB12
, 5F049NA05
, 5F049NB01
, 5F049QA08
, 5F049QA15
