特許
J-GLOBAL ID：200903061388496031
波長変換型半導体発光デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109168
公開番号（公開出願番号）：特開2006-352085
出願日： 2006年03月14日
公開日（公表日）： 2006年12月28日
要約：
【課題】半導体発光デバイスの従来技術における光学的損失を低減して、デバイスからの光取出しの効率を改善すること。【解決手段】発光領域から蛍光体中に光を効率的に取り出すことを目的として、蛍光体などの材料が、n型領域とp型領域の間に配置された発光領域を含む半導体構造体に、光学的に結合される。蛍光体は、半導体構造体の表面に直接接触した蛍光体粒、又は、半導体構造体又はその上に半導体構造体が成長させられる薄い核生成構造体に接合されたセラミック蛍光体とすることができる。蛍光体は高吸収性で高効率であることが好ましい。半導体構造体がそのような高効率、高吸収性の蛍光体中に光を放射すると、蛍光体は構造体から効率的に光を取り出し、従来技術に存在している光学的損失を低減する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
セラミック体蛍光体が第一ピーク波長の光を吸収し第二ピーク波長の光を放射するように形成された蛍光体を含むセラミック体を準備するステップと、
前記セラミック体を核生成構造体に接合するステップと、
前記核生成構造体上に、n型領域とp型領域との間に配置されて前記第一ピーク波長の光を放射するように形成された発光領域を有する半導体構造体を成長させるステップと、
を含み、
前記核生成構造体は、成長前における厚さが100ミクロンより小さいことを特徴とする方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA77
, 5F041DB09
