特許
J-GLOBAL ID：200903061438399326

ZnO単結晶の製造方法およびそれによって得られた自立ZnO単結晶ウエファー

発明者：
関和 秀幸

関和 秀幸 について

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小林 純

小林 純 について

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宮本 美幸

宮本 美幸 について

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大橋 直樹

大橋 直樹 について

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坂口 勲

坂口 勲 について

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和田 芳樹

和田 芳樹 について


出願人/特許権者：
三菱瓦斯化学株式会社

三菱瓦斯化学株式会社 について

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独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


代理人 (5件)： 小林 浩 ,  片山 英二 ,  田村 恭子 ,  杉山 共永 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080639
公開番号（公開出願番号）：特開2009-234825
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】Li濃度が低い自立ZnO単結晶を提供する。【解決手段】溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液8に、種結晶基板7を直接接触させ、種結晶基板7を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりZnO単結晶を種結晶基板7上に成長させることができる。ZnO単結晶を成長させた後、基板7を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した-c面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ZnO単結晶を得ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
溶質であるZnOと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液に、種結晶基板を直接接触させる工程と、前記種結晶基板を連続的あるいは間欠的に引上げることによってZnO単結晶を前記種結晶基板上に成長させる工程と、を有することを特徴とする液相エピタキシャル成長法によるZnO単結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 29/16 ,  C30B 19/02 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/208
FI (4件)：
C30B29/16 ,  C30B19/02 ,  C30B33/00 ,  H01L21/208 D
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077BB07 ,  4G077CG02 ,  4G077CG06 ,  4G077EB01 ,  4G077EC08 ,  4G077EH05 ,  4G077EH09 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA11 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA26 ,  4G077QA27 ,  4G077QA32 ,  5F053AA03 ,  5F053BB04 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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