シリコンウエハの洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木下茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-260402
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073806
出願日： 2005年09月08日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】スピン洗浄を用いた場合であっても、ウエハ表面の金属不純物を除去でき、清浄度の高いウエハの洗浄方法を提供する。【解決手段】薬液を用いてシリコンウエハを洗浄する工程(S1,S2)と、前記工程の後、前記シリコンウエハをオゾン水でリンスすることにより、シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程(S3)と、前記工程の後、純水でリンスする工程(S4)と、前記純水でリンスした後、再びオゾン水でリンスすることにより、シリコンウエハ表面の金属不純物を除去する工程(S5)と、前記工程の後、シリコンウエハを乾燥する工程(S6)とを含むことを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

薬液を用いてシリコンウエハを洗浄する工程と、前記工程の後、前記シリコンウエハをオゾン水でリンスすることにより、前記シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する第1のオゾン水リンス工程と、前記工程の後、純水でリンスする純水リンス工程と、前記純水でリンスした後、再びオゾン水でリンスする第2のオゾン水リンス工程と、前記オゾン水によるリンス工程の後、前記シリコンウエハを乾燥する乾燥工程とを含むことを特徴とするシリコンウエハの洗浄方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (1件)：

H01L21/304 647Z

引用特許：

出願人引用 (3件)

ウエハの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-092227 出願人：ソニー株式会社
半導体基板の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-088654 出願人：コマツ電子金属株式会社
基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-149531 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (5件)

基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-149531 出願人：ソニー株式会社
基板表面処理方法及び基板表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-320646 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体基板の洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-370265 出願人：ワッカー・エヌエスシーイー株式会社

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