特許
J-GLOBAL ID：200903062361555229

平板表示装置及びその製造方法

発明者：
金 保 成

金 保 成 について

, 
李 容 旭

李 容 旭 について

, 
呉 俊 鶴

呉 俊 鶴 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-207516
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043160
出願日： 2006年07月31日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した平板表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の平板表示装置は、絶縁基板;絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極;電極それぞれの少なくとも一領域とチャネル領域上に形成されている有機半導体層;有機半導体層と電極との間に位置し、電極と有機半導体層との間の接触抵抗を減少させる自己組立単層膜を含むことを特徴とする。平板表示装置の製造方法は、絶縁基板を準備し;前記絶縁基板上に離隔して形成されてチャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極を形成し;前記ソース電極と前記ドレイン電極上に自己組立単層膜物質を加え、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と化学的に結合する自己組立単層膜を形成し;前記自己組立単層膜の少なくとも一領域と前記チャネル領域に有機半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁基板と; 前記絶縁基板上に離隔して形成され、チャネル領域を規定するソース電極及びドレイン電極と; 前記電極それぞれの少なくとも一領域と前記チャネル領域上に形成されている有機半導体層と; 前記有機半導体層と前記電極との間に位置し、前記電極と前記有機半導体層との間の接触抵抗を減少させる自己組立単層膜とを含むことを特徴とする平板表示装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  G09F 9/30
FI (10件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280 ,  H01L29/28 310J ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  G09F9/30 338
Fターム (47件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD21 ,  4M104DD28 ,  4M104DD37 ,  4M104HH15 ,  5C094AA21 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DB10 ,  5C094FB20 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06
引用特許：
審査官引用 (7件)
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