特許

J-GLOBAL ID：200903062447804728

酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法

発明者： 大橋 直樹 ,  羽田 肇 ,  大垣 武 ,  佐藤 充 ,  前田 克己 ,  杉村 茂昭
出願人/特許権者： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  東京電波株式会社
代理人 (1件)： 西澤 利夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276296
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039131
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 酸化亜鉛半導体材料を電子素子形成のための基板材料として利用可能なウエファーとして提供するため、導電性と平坦表面を併せ持った酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法を提供する。【解決手段】 水熱合成法によって育成された酸化亜鉛単結晶を、平坦表面を有する導電性単結晶ウエファーとして提供する酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法であって、ウエファー状に切り出された酸化亜鉛単結晶に対して、単結晶が育成された直後の状態でもつ電気抵抗率に比べて低抵抗の状態に至らしめ、かつ熱処理後の結晶のフォトルミネッセンス特性において375〜385nmの範囲にある紫外発光ピークの相対強度が400〜800nmに見られる紫外発光ピークの相対強度に対して高い発光状態に至らしめる、低抵抗化のための前段熱処理と、酸化亜鉛との間に反応生成物を生じさせない酸化亜鉛に対して不活性でありかつ表面を平坦研磨された1対の熱処理用鞘ウエファーの間に酸化亜鉛を挟み込んだ状態でその酸化亜鉛単結晶に対して行う、平坦化のための後段熱処理の、2段階の熱処理工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

水熱合成法によって育成された酸化亜鉛単結晶を、平坦表面を有する導電性単結晶ウエファーとして提供する酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法であって、ウエファー状に切り出された酸化亜鉛単結晶に対して、単結晶が育成された直後の状態でもつ電気抵抗率に比べて低抵抗の状態に至らしめ、かつ熱処理後の結晶のフォトルミネッセンス特性において375〜385nmの範囲にある紫外発光ピークの相対強度が400〜800nmに見られる紫外発光ピークの相対強度に対して高い発光状態に至らしめる、低抵抗化のための前段熱処理と、次いで酸化亜鉛との間に反応生成物を生じさせず、酸化亜鉛に対して不活性でありかつ表面を平坦研磨された1対の熱処理用鞘ウエファーの間に酸化亜鉛単結晶を挟み込み、その状態で酸化亜鉛単結晶に対して行う、平坦化のための後段熱処理の、少なくとも2段階の熱処理工程を含むことを特徴とする酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法。

IPC (2件)：

H01L21/02 ,  H01L21/324

FI (2件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/324 X

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 透明酸化亜鉛の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-235077   出願人：ライオン株式会社
• 酸化亜鉛単結晶の育成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-278542   出願人：日本碍子株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230365   出願人：シャープ株式会社, 川崎雅司
• 半導体発光素子及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211501   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (4件)

• シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-219280   出願人：株式会社東北テクノアーチ
• ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245220   出願人：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
• ZnO紫外発光体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-062347   出願人：住友電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-349671   出願人：三菱電線工業株式会社