特許
J-GLOBAL ID:200903062637667638

半導体装置及びその実装体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-390329
公開番号(公開出願番号):特開2005-150661
出願日: 2003年11月20日
公開日(公表日): 2005年06月09日
要約:
【課題】 実装面積が小さく、かつ小型で安価な半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置は、その内部に半導体素子を含むパッケージ(22)と、リードフレームを備える。リードフレームは、半導体素子を搭載するフレーム部(40)と、パッケージ(22)の一側面から突出するリード部(26)とから成る。半導体素子は、2つの電力用スイッチング半導体素子(30,32)と、それらを制御する制御用半導体素子(38)を含む。リード部(26)は、フレーム部(40)の各フレーム(50-58)につなげられた複数のリードの列である。一方の電力用スイッチング素子(32)を搭載し、かつ他方の電力用スイッチング半導体素子(30)と電気的に接続されるフレーム(52)につなげられたリード(Tc)が、その列の最端に配置される。【選択図】図3
請求項(抜粋):
その内部に半導体素子を含むパッケージと、リードフレームとを備える半導体装置であって、 前記リードフレームは、 前記パッケージの内部において前記半導体素子を搭載するフレーム部と、 前記フレーム部につなげられ、前記パッケージの一側面から突出するリード部と から成り、 前記パッケージは、その内部に、 第1の電力用スイッチング半導体素子と、 第2の電力用スイッチング半導体素子と、 前記第1の電力用スイッチング半導体素子と前記第2の電力用スイッチング半導体素子とを制御する単一の制御用半導体素子と を含み、 前記第1の電力用スイッチング半導体素子は、2つの対向する主面を備え、その主面の一方に第1の電極を有し、他方に第2の電極を有し、 前記第2の電力用スイッチング半導体素子は、2つの対向する主面を備え、その主面の一方に第3の電極を有し、他方に第4の電極を有し、 前記制御用半導体素子は、2つの対向する主面を備え、その主面の一方に接地電極を有し、他方に複数の電極パッドを有し、 前記フレーム部は、 その表面に、前記第1の電力用スイッチング半導体素子を、その第1の電極が接するように搭載する第1のフレームと、 その表面に、前記第2の電力用スイッチング半導体素子を、その第3の電極が接するように搭載し、かつ前記第1のフレームに搭載された前記第1の電力用スイッチング半導体素子の第2の電極と電気的に接続される第2のフレームと、 前記第2のフレームに搭載された前記第2の電力用スイッチング半導体素子の第4の電極と電気的に接続される第3のフレームと、 その表面に、前記制御用半導体素子を、その接地電極が接するように搭載する第4のフレームと、 前記第4のフレームに搭載された前記制御用半導体素子の電極パッドの各々と電気的に接続される複数の第5のフレームと を備え、 前記リード部は、前記フレーム部の各フレームにつなげられた複数のリードの列であり、 前記第2のフレームにつなげられた前記リードが、前記列の最端に配置される半導体装置。
IPC (3件):
H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48
FI (2件):
H01L25/04 C ,  H02M7/48 Z
Fターム (5件):
5H007CA01 ,  5H007CB02 ,  5H007CB05 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04
引用特許:
出願人引用 (5件)
  • 半導体パワーモジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-366825   出願人:三菱電機株式会社
  • ブリッジ・モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-311552   出願人:オイペックオイロペイツシエゲゼルシヤフトフユアライスツングスハルプライターミツトベシユレンクテルハフツングウントコンパニコマンデイートゲゼルシヤフト
  • 電力用半導体モジュール
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-228286   出願人:オイペックオイロペイツシエゲゼルシヤフトフユアライスツングスハルプライターミツトベシユレンクテルハフツングウントコンパニコマンデイートゲゼルシヤフト, シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
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審査官引用 (3件)

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