特許
J-GLOBAL ID：200903062714442059

半導体記憶装置

発明者：
乃一 修平

乃一 修平 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368459
公開番号（公開出願番号）：特開2005-135466
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】ゲートディスターブによるストレスを低減するとともに、次のアドレスの書込みおよび消去動作への移行を高速に行うことができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】ワード線221、222、321、322に接続されたメモリセルを有する複数のメモリエリア220、320と、前記メモリエリア220、320に対する書込みまたは消去が完了したか否かを判定するベリファイ回路200、300と、前記ベリファイ回路200、300が、前記メモリエリア220、320に対する書込みまたは消去が完了したと判定した場合に、書込みまたは消去が完了した前記メモリエリア220、320の前記ワード線221、222、321、322を非活性にする制御回路210、310とを備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数のエリアに分割されたメモリと、 前記分割されたエリアに対する書込みまたは消去が完了したことのベリファイを行うベリファイ回路と、 前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアのワード線を非活性にする制御回路と、を備える半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C16/02 ,  G11C16/06
FI (4件)：
G11C17/00 611F ,  G11C17/00 611A ,  G11C17/00 612B ,  G11C17/00 633Z
Fターム (4件)：
5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE08
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 不揮発性記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-331999   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (6件)
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