フォトレジスト、これを用いた基板の加工方法、及びフォトレジストの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-140287
公開番号（公開出願番号）：特開2003-066600
出願日： 2002年05月15日
公開日（公表日）： 2003年03月05日
要約：

【要約】【課題】像形成用フォトレジスト層の層厚が小さくても光効率が良く、パターンエッジラフネスが低減できる近接場露光用のポジ型フォトレジストおよびこれを用いて形成した像形成用フォトレジスト層を近接場露光により露光する工程を含むことを特徴とする、光リソグラフィ方法を提供する。【解決手段】アルカリ可溶性ノボラック樹脂とキノンジアジド基を有する感光剤化合物を含むフォトレジストにおいて、該フォトレジストの露光用光に対する吸収係数α[μm]-1を 0.5 ≦ α ≦ 7 とする。

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性ノボラック樹脂と、キノンジアジド基を有する感光剤化合物とを含むフォトレジストにおいて、該フォトレジストの露光用光に対する吸収係数α[μm]-1が0.5 ≦ α ≦ 7であることを特徴とするフォトレジスト。

IPC (4件)：

G03F 7/022 , G03F 7/023 511 , G03F 7/26 501 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/022 , G03F 7/023 511 , G03F 7/26 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (17件)：

2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AD03 , 2H025BE01 , 2H025CB29 , 2H025CB55 , 2H025CB56 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA10 , 2H096EA02 , 2H096EA03 , 2H096EA04 , 2H096GA08 , 2H096LA16

引用特許：

審査官引用 (9件)

フォトマスク製造用ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-037998 出願人：日本ゼオン株式会社
新規ビスジヒドロキシベンゼン化合物、その製造方法およびその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-302831 出願人：三井東圧化学株式会社
特開平4-295472

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