特許
J-GLOBAL ID：200903062940551618
基板の処理方法及び基板の処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
金本 哲男
, 亀谷 美明
, 萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-139458
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322765
出願日： 2004年05月10日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 短波長の露光光源に対応したレジストパターンのエッチング耐性を向上する。【解決手段】 基板上のレジスト膜が露光され,現像されてレジストパターンが形成された後に,当該レジストパターンの表面にフッ素系の液体を供給するトリートメント処理を行う。そして,その後当該レジストパターンをマスクとした下地膜のエッチング処理を行う。こうすることにより,エッチング処理する前に,レジストパターンの表面におけるフッ素分子の密度が上昇し,レジストパターンのエッチング耐性が向上される。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
基板の処理方法であって,
基板上のレジスト膜を現像して,基板上にレジストパターンを形成する現像工程と,
その後,前記レジストパターンをマスクとして下地膜をエッチングするエッチング工程と,を有し,
前記現像工程とエッチング工程との間に,前記レジストパターンに対しフッ素系の液体を供給する工程を有することを特徴とする,基板の処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 570
, H01L21/302 105A
5F004AA04
, 5F004EA04
, 5F004FA08
, 5F046LA18
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (6件)
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