特許
J-GLOBAL ID：200903063422902950
多層配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
渥美 久彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-070492
公開番号（公開出願番号）：特開2008-270768
出願日： 2008年03月18日
公開日（公表日）： 2008年11月06日
要約：
【課題】位置合わせマークを確実に検出し、導体回路に対応した正確な位置にビア穴を形成することができる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】コア基板12の上面13及び下面14に配置されるビルドアップ層15,16には、樹脂絶縁層20,21,31,32及び導体層22,23,33,34が積層される。導体層19,22,33の形成工程では、第1光反射部43と抜きパターン44を隔ててその第1光反射部43を包囲する第2光反射部45とからなる位置合わせマーク41,42を形成する。検出工程では、樹脂絶縁層20,21,31,32を介して位置合わせマーク41,42に位置検出用光を照射し、反射光に基づいて位置合わせマーク41,42を検出する。位置合わせマーク41,42を位置基準として樹脂絶縁層20,21,31,32にレーザを照射してビア穴25,27を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
コア主面を有するコア基板と、導体回路を構成する金属層及び層間樹脂絶縁層を積層してなり前記コア主面上に配置された積層配線部とを備えた多層配線基板の製造方法であって、
前記コア主面上または前記層間樹脂絶縁層上に前記導体回路を形成するとともに、前記金属層において前記導体回路とは異なる位置に、第1光反射部と抜きパターンを隔ててその第1光反射部を包囲する第2光反射部とからなる位置合わせマークを形成する導体回路等形成工程と、
前記金属層上に前記導体回路及び前記位置合わせマークを覆う前記層間樹脂絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記層間樹脂絶縁層を介して前記位置合わせマークに照射された位置検出用光の反射光に基づいて前記位置合わせマークを検出する検出工程と、
検出された前記位置合わせマークを位置基準として用いて位置合わせを行ったうえで前記層間樹脂絶縁層にレーザを照射し、前記導体回路の一部を露出させるビア穴を形成するレーザ穴あけ工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (6件)：
H05K3/46 B
, H05K3/46 Z
, H05K3/00 P
, H05K3/00 N
, H05K3/46 N
, H05K3/46 X
5E338AA03
, 5E338DD13
, 5E338EE42
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346BB15
, 5E346CC09
, 5E346CC32
, 5E346EE35
, 5E346EE37
, 5E346FF04
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346HH40
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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