特許
J-GLOBAL ID：200903099576777827

研磨方法及び装置

発明者：
北島 知彦

北島 知彦 について

, 
安原 元

安原 元 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127100
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318140
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 特にSTI形成におけるCMP工程を実施する際に、適正なプロセス管理及びプロセス制御を実現できる研磨方法等を提供する。【解決手段】 本発明の研磨方法は、トレンチ等の凹部が形成されたSiウェハ上に窒化膜を介して被着された酸化膜のCMPをセリウム系スラリーで実施する方法である。研磨工程は、酸化膜の平坦化から窒化膜の略完全露出に至る第1〜第4ステップで構成され、これらが順次進行する際に、回転トルクの経時変化をモニターする。そして、その変化率に基づいて、各ステップ間の転移点判定によるステップ毎の終点を検知し、転移点の有無等により、異常や不具合の発生を感知して研磨プロセスを停止するといったプロセス監視工程SP2を実施する。
請求項（抜粋）：
凹部を有する基体上に形成された保護膜上に被着された酸化膜を化学的機械研磨により除去する方法であって、前記基体の被研磨面を研磨パッドと当接させ、該被研磨面と該研磨パッドとの間に酸化セリウム粒子を含む研磨剤を供給し、該基体及び該研磨パッドのうち少なくともいずれか一方を回転させ、前記酸化膜の平坦化を進行させる第1ステップ、前記酸化膜の平坦性が維持された状態で該酸化膜の研磨を進行させる第2ステップ、前記酸化膜下の前記保護膜の一部を露出させた状態で前記酸化膜の研磨を進行させる第3ステップ、及び、前記保護膜上の前記酸化膜が除去され実質的に該保護膜を略完全に露出させた状態で研磨を進行させる第4ステップを実施する研磨工程と、前記研磨工程を実施する間に、前記基体又は前記研磨パッドの回転トルクの経時変化を連続的又は断続的に実測し、該実測結果に基づいて前記第1〜第4ステップの実行状態を監視するプロセス監視工程と、を備える研磨方法。
IPC (6件)：
H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  B24B 49/04 ,  B24B 49/10 ,  B24B 57/02
FI (7件)：
H01L 21/304 621 D ,  H01L 21/304 622 R ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 Z ,  B24B 49/04 Z ,  B24B 49/10 ,  B24B 57/02
Fターム (21件)：
3C034AA13 ,  3C034AA19 ,  3C034BB92 ,  3C034CA02 ,  3C034CA05 ,  3C034CA17 ,  3C034CB03 ,  3C047FF08 ,  3C047GG20 ,  3C058AA06 ,  3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA06 ,  3C058BB02 ,  3C058BC01 ,  3C058BC02 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA12
引用特許：
審査官引用 (14件)
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