特許
J-GLOBAL ID：200903063736066405

背面照射を用いる光センサおよびピクセル・アレイ、ならびに光センサを形成する方法

発明者：
マーク、デービッド、ジャッフェ

マーク、デービッド、ジャッフェ について

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リチャード、ジョン、ラッセル

リチャード、ジョン、ラッセル について

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ジェームズ、ウィリアム、アドキソン

ジェームズ、ウィリアム、アドキソン について

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ジェフリー、ピーター、ガンビーノ

ジェフリー、ピーター、ガンビーノ について

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アラン、ロイソー

アラン、ロイソー について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-031779
公開番号（公開出願番号）：特開2007-221134
出願日： 2007年02月13日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】FETピクセルのアレイを有する撮像センサ、および撮像センサを形成する方法を提供する。【解決手段】各ピクセルは、例えば、シリコン・オン・インシュレーター(SOI)ウェハ上のN型シリコンなどの半導体アイランドである。FETは、例えば、Pウェル陰極などの1つのフォトダイオード電極内に形成される。カラー・フィルタは、アイランドの反対側の面に取り付けられうる。保護層(例えば、ガラスまたは石英)、または保護ウィンドウは、カラー・フィルタにおいてピクセル・アレイに固定されている。イメージ・センサは、セル配線がセルの上方にある状態で、背面から照射されうる。したがって、保護層を通過する光信号は、カラー・フィルタでフィルタリングされて、対応する光センサにより選択的に検知される。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
半導体層と、 前記半導体層の一方の面上の光センサと、 前記半導体層の反対側の面にあるカラー・フィルタであって、前記カラー・フィルタでフィルタリングされた光が前記光センサにより選択的に検知される前記カラー・フィルターとを有する、撮像センサ・セル。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (28件)：
4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA32 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA15 ,  4M118GA02 ,  4M118GC01 ,  4M118GC07 ,  4M118GC11 ,  4M118GC20 ,  4M118HA29 ,  4M118HA30 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CX37 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX25 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX24 ,  5C024GY31 ,  5C024HX01
引用特許：
審査官引用 (9件)
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