特許
J-GLOBAL ID：200903063753836923

半導体装置および、半導体装置の製造方法

発明者：
池田 良成

池田 良成 について

, 
岡本 健次

岡本 健次 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-145848
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165498
出願日： 2005年05月18日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】電気的な絶縁性能、および、熱伝導性能が良好であることに加え、機械的にも強固な構造の電気絶縁部を形成して大電力に適用可能とした半導体装置、及びこれら機能を実現するような半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】回路パターン部14の裏面にエアロゾルデポジション法により、複数のセラミクス微粒子を衝突させることにより接合されて形成された常温衝撃固化膜であるセラミクス層14を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電気回路となる回路パターン部と、 前記回路パターン部に接合された半導体素子と、 前記回路パターン部の裏面に設けられ、熱伝導率が大きい絶縁層と、 を備える半導体装置であって、 前記絶縁層は、複数のセラミクス微粒子を少なくとも前記回路パターン部に衝突させることにより接合されて形成された常温衝撃固化膜のセラミクス層であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/50
FI (2件)：
H01L23/36 A ,  H01L23/50 F
Fターム (9件)：
5F067AA03 ,  5F067CA00 ,  5F136BB13 ,  5F136BC05 ,  5F136DA04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA26 ,  5F136FA55 ,  5F136FA63
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM