薄膜トランジスタ装置、その製造方法及びこの装置を用いた画像表示装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314719
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124230
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタを形成する結晶薄膜の欠陥の発生を減少し、高機能な薄膜トランジスタ装置を提供する。【解決手段】本発明は、SiをはじめとするIV属(C,Si,Ge,Sn,Pbの何れか若しくはそれらの混晶からなる)薄膜の結晶粒が最も成長しやすい面内横方向に合わせてレーザー光を走査することで、従来技術で抑制不可能であった欠陥の発生を大幅に減少し、高品質の多結晶を制御された位置に形成することで高機能な薄膜トランジスタ装置を実現する。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板と、前記絶縁体基板上に形成された多結晶薄膜と、前記多結晶薄膜上に形成されたソース、ドレイン、チャネル及びゲートからなるトランジスタとを有する薄膜トランジスタ装置の、前記多結晶薄膜はIV属のC,Si,Ge,Sn及びPbの群から選ばれる何れか一つの結晶、もしくはそれらの混晶からなる結晶化領域を有し、該結晶化領域の少なくとも一つの面方位が{100}、{110}、{111}のいずれかであり、その他の領域の面方位は{100}、{110}、{111}のいずれかのうちで前記領域とは異なることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (8件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1345 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 29/786

FI (10件)：

G02F 1/1345 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 620 , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 612 B

Fターム (52件)：

2H092GA59 , 2H092JA24 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092KA04 , 2H092MA08 , 2H092MA30 , 2H092NA22 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 5C094AA03 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094JA09 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA04 , 5F052BB02 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA03 , 5F052DA10 , 5F052FA19 , 5F052FA21 , 5F052JA01 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110DD02 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110NN78 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP24 , 5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (11件)

非単結晶薄膜のレーザー結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-151365 出願人：松下電器産業株式会社
半導体デバイスのレーザー処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-066592 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
シリコン膜の結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-002267 出願人：ソニー株式会社

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