特許
J-GLOBAL ID：200903063784709105

半導体装置の製造方法

発明者：
橋本 圭市

橋本 圭市 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について

, 
宮城沖電気株式会社

宮城沖電気株式会社 について


代理人 (1件)： 飯塚 雄二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-087155
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266167
出願日： 2006年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】 ACエッジを緩やかとし、トレンチ上端部におけるディボットの発生を防ぎ、電解集中を良好に緩和すること。 【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に第1の酸化膜を形成する工程と;前記第1の酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と;前記第1の酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングすることにより、前記半導体基板に達する開口部を形成する工程と;ラジカル酸化により、前記開口部における前記半導体基板上と、前記シリコン窒化膜表面と、前記シリコン窒化膜の前記開口部内の側面とに第2の酸化膜を形成する工程と;前記開口部における前記半導体基板上及び、前記シリコン窒化膜表面上の前記第2の酸化膜を除去する工程と;前記シリコン窒化膜及びその側壁の前記第2の酸化膜をマスクとして、前記シリコン基板に溝(トレンチ)を形成する工程と;前記溝内部に第3の酸化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に第1の酸化膜を形成する工程と; 前記第1の酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と; 前記第1の酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングすることにより、前記半導体基板に達する開口部を形成する工程と; ラジカル酸化により、前記開口部における前記半導体基板上と、前記シリコン窒化膜表面と、前記シリコン窒化膜の前記開口部内の側面とに第2の酸化膜を形成する工程と; 前記開口部における前記半導体基板上及び、前記シリコン窒化膜表面上の前記第2の酸化膜を除去する工程と; 前記シリコン窒化膜及びその側壁の前記第2の酸化膜をマスクとして、前記シリコン基板に溝(トレンチ)を形成する工程と; 前記溝内部を第3の酸化膜で埋め込む工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/76
FI (1件)：
H01L21/76 L
Fターム (17件)：
5F032AA13 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032BB01 ,  5F032CA17 ,  5F032DA03 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA30 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F032DA78
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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