特許
J-GLOBAL ID：200903064617940780

SOGを用いた室温ナノ-インプリント-リソグラフィー

発明者：
松井 真二

松井 真二 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 宮本 晴視
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-293718
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100609
出願日： 2001年09月26日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 能率的で、高精度のパターンが得られる室温ナノ-インプリント-リソグラフィーの提供。【解決手段】 一般式Aのシロキサン成分〔RnSi(OH)4-n〕 一般式A(但し、RはHまたはアルキル基、nは0〜3の整数)と溶媒としてのアルコール、エステル、ケトンまたはこれらの2種以上の混合物を主成分とする溶液を被加工材料表面に塗布後、該塗布面に室温において微細パターンの型押しをし、溶剤の除去および加水分解硬化により、または水素化シルセスキオキサンポリマーを用い、該ポリマーによる塗布膜を被加工材料表面に形成後、該塗布面を150°C以下でプリべーくした後型押しすることにより該被加工材料表面に微細SiO2パターンを形成する方法。
請求項（抜粋）：
一般式Aのシロキサン成分〔RnSi(OH)4-n〕 一般式A(但し、RはHまたはアルキル基、nは0〜3の整数)と溶媒としてのアルコール、エステル、ケトンまたはこれらの2種以上の混合物を主成分とする溶液を被加工材料表面に塗布後、該塗布面に室温において微細パターンの型押しをし、溶剤の除去および加水分解硬化により該被加工材料表面に微細SiO2パターンを形成する方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  B05D 3/02 ,  B05D 3/12 ,  B05D 7/24 302 ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/316
FI (6件)：
B05D 3/02 ,  B05D 3/12 C ,  B05D 7/24 302 Y ,  G03F 7/075 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/30 502 D
Fターム (20件)：
2H025AA20 ,  2H025CB33 ,  2H025EA10 ,  4D075BB06Z ,  4D075BB28Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DC21 ,  4D075EA07 ,  4D075EA45 ,  4D075EB02 ,  4D075EB56 ,  5F046AA28 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BH12 ,  5F058BH20
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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