特許
J-GLOBAL ID：200903064621485532
半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090927
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041518
出願日： 1997年04月09日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】良好な特性を有する薄膜トランジスタの製造方法及びこれを用いた薄膜トランジスタ液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、ゲート、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタを形成し、その結果物上に、水分を含有する絶縁膜を用いてパッシベーション膜を形成する。次いで、前記パッシベーション膜を熱処理することにより、前記パッシベーション膜に含有された水分を前記薄膜トランジスタに拡散させる。次いで、前記パッシベーション膜をエッチバックすることにより、前記薄膜トランジスタまたは金属ラインにより段差が生じた結果物の表面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタを含む半導体装置の製造方法であって、(a)基板上に、ゲート、ソース及びドレインを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、(b)結果物上に、水分を含有する絶縁膜を用いてパッシベーション膜を形成する工程と、(c)前記パッシベーション膜を熱処理することにより、前記パッシベーション膜に含有された水分を前記薄膜トランジスタに拡散させる工程と、(d)前記パッシベーション膜をエッチバックすることにより、前記薄膜トランジスタまたは配線ラインにより段差が生じた結果物の表面を平坦化する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, G09F 9/35 302
, H01L 21/336
H01L 29/78 619 A
, G02F 1/136 500
, G09F 9/35 302
, H01L 29/78 627 A
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 Z
