特許
J-GLOBAL ID:200903064858884172
セラミックヒータ及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 壯祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-166001
公開番号(公開出願番号):特開2002-359281
出願日: 2001年06月01日
公開日(公表日): 2002年12月13日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造装置、CVD装置ではウエハを高温にかつ均一に加熱することが求められる。従来のセラミックヒータは板厚の厚いものにヒータを埋設したものをホットプレス法により製造していたので極めて高価であった。【解決手段】 薄いグリーンシート13,15上にスクリーン印刷法でヒータパターン14や膜状静電吸着パターン16P、16Nを形成し、これを純度の高いセラミック基体11とセラミック吸着面体18で挟み、一体に焼成して厚いセラミックヒータ10を構成する。
請求項(抜粋):
アルミナ、ムライト、マグネシア、窒化アルミニウム、窒化珪素等からなるセラミックヒータ体と、前記セラミックヒータ体の内部に埋設された抵抗発熱体とを備え、前記セラミックヒータ体の一方の面に被加工物たるウエハを吸着可能な吸着面が形成されていること、を特徴とするセラミックヒータにおいて、前記セラミックヒータ体が、主成分の組成が95%を越える純度の高い層と、主成分の組成が95%以下の純度の比較的低い層との、多層構造からなることを特徴とするセラミックヒータ。
IPC (8件):
H01L 21/68
, C23C 14/50
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H05B 3/10
, H05B 3/18
, H05B 3/20 393
, H05B 3/74
FI (8件):
H01L 21/68 R
, C23C 14/50 E
, C23C 16/46
, H01L 21/205
, H05B 3/10 C
, H05B 3/18
, H05B 3/20 393
, H05B 3/74
Fターム (55件):
3K034AA10
, 3K034AA16
, 3K034AA21
, 3K034AA34
, 3K034BA06
, 3K034BA14
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC16
, 3K034BC23
, 3K034BC29
, 3K034CA14
, 3K034CA22
, 3K034HA10
, 3K034JA02
, 3K034JA10
, 3K092PP20
, 3K092QA04
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB32
, 3K092QB43
, 3K092QB48
, 3K092QB76
, 3K092RF03
, 3K092RF17
, 3K092RF27
, 3K092SS18
, 3K092SS24
, 3K092SS26
, 3K092VV22
, 3K092VV35
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BD01
, 4K029DA08
, 4K029JA05
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030GA02
, 4K030KA24
, 4K030KA46
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA16
, 5F031HA37
, 5F031MA29
, 5F031PA11
, 5F031PA30
, 5F045BB09
, 5F045BB14
, 5F045EK09
, 5F045EK22
, 5F045EM09
引用特許:
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