リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大賀眞司 , 大貫敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-083242
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281456
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】基板の位置合わせ方法において、使用可能な位置合わせ情報が不十分であるために生じる極端なミスアライメントを抑制する。【解決手段】先行バッチの基板上にある位置合わせマークの位置合わせオフセット測定値およびオーバレイターゲットのオーバレイ測定値に基づいて計算されたオフセット補正値およびプロセス補正値を使用して、露光前に基板のミスアライメントの補正が実行される。少なくとも1つの先行バッチの基板で位置合わせマークのオーバレイの変動を測定し、少なくとも1つの先行バッチの基板の位置合わせマークについて重み付けしたオーバレイ変動を合計することにより、基板のプロセス補正を計算し、プロセス補正を基板の位置合わせに適用し、基板を露光する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板の後続露光層を位置合わせするために使用するように構成された位置合わせマークを含む基板を位置合わせし、露光する方法であって、実際の位置合わせマークデータとデフォルト位置合わせマークデータとの差を計算し、前記計算差に基づいて位置合わせ補正値を計算し、前記位置合わせ補正値を前記基板に適用し、前記基板を露光することを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20

FI (2件)：

H01L21/30 525W , G03F7/20 521

Fターム (6件)：

5F046AA18 , 5F046EA07 , 5F046EB01 , 5F046EB06 , 5F046FC04 , 5F046FC06

引用特許：

審査官引用 (7件)

リソグラフィ装置、モデルパラメータを決定する方法、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-355504 出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ, アイエムイーシー(インターユニバーシティマイクロエレクトロニクスセンター)ブイゼットダブリュ
アライメント補正方法、半導体装置の製造方法、アライメント補正装置および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-251234 出願人：三菱電機株式会社
フィードフォワードオーバーレイ情報を導入したフォトリソグラフィー・オーバーレイ整合を制御するための方法および装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-553342 出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る