特許
J-GLOBAL ID:200903065182918636

高温超伝導ジョセフソン接合およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 工藤 実 (外1名) ,  工藤 実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-162025
公開番号(公開出願番号):特開2000-150974
出願日: 1999年06月09日
公開日(公表日): 2000年05月30日
要約:
【要約】【課題】 層厚、組成が均一なバリア層を再現性良く形成し、ばらつきの少ない優れた特性の高温超伝導ジョセフソン接合を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に第1超伝導層2を形成するステップと、前記第1超伝導層2上に絶縁膜5を形成するステップと、傾斜部を有するように前記絶縁膜5をエッチングするステップと、前記エッチングされた絶縁膜5をマスクとして、傾斜部を有するように前記第1超伝導層2をエッチングするステップと、前記第1超伝導層2の前記傾斜部の表面上にバリア層3を形成するステップと、前記バリア層3と前記絶縁層5の前記傾斜部の上に第2超伝導層4を形成するステップとを具備する。
請求項(抜粋):
基板上に第1超伝導層を形成するステップと、前記第1超伝導層上に絶縁膜を形成するステップと、傾斜部を有するように前記絶縁膜をエッチングするステップと、前記エッチングされた絶縁膜をマスクとして、傾斜部を有するように前記第1超伝導層をエッチングするステップと、前記第1超伝導層の前記傾斜部の表面上にバリア層を形成するステップと、前記バリア層と前記絶縁層の前記傾斜部の上に第2超伝導層を形成するステップとを具備するジョセフソン接合の製造方法。
IPC (2件):
H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA
FI (2件):
H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/24 ZAA J
Fターム (20件):
4M113AA06 ,  4M113AA16 ,  4M113AA25 ,  4M113AA33 ,  4M113AA37 ,  4M113AD36 ,  4M113AD37 ,  4M113AD40 ,  4M113AD67 ,  4M113AD68 ,  4M113BA01 ,  4M113BA04 ,  4M113BA09 ,  4M113BA29 ,  4M113BB07 ,  4M113BC02 ,  4M113BC04 ,  4M113BC12 ,  4M113BC16 ,  4M113CA34
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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