特許
J-GLOBAL ID：200903065250019777

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257359
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の液晶表示装置は、最低でも5枚以上のフォトマスクを使用してTFTを作製していたため製造コストが大きかった。【解決手段】3枚目のフォトマスクにより画素電極119、ソース領域115及びドレイン領域116の形成を行うことにより、3回のフォトリソグラフィー工程で、逆スタガ型のnチャネル型TFTを有する画素TFT部、及び保持容量を備えた液晶表示装置を実現することができる。
請求項（抜粋）：
ゲート配線と、ソース配線と、画素電極とを有する半導体装置であって、絶縁表面上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜と、前記非晶質半導体膜上に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上に形成されたソース配線または電極と、前記電極上に形成された画素電極とを有し、前記ドレイン領域または前記ソース領域の一つの端面は、前記非晶質半導体膜の端面及び前記電極の端面と概略一致することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 342
FI (5件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 342 Z ,  H01L 29/78 612 D ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (104件)：
2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092JA26 ,  2H092JA33 ,  2H092JA35 ,  2H092JA40 ,  2H092JB07 ,  2H092JB24 ,  2H092JB57 ,  2H092JB69 ,  2H092JB79 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB13 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA37 ,  2H092NA14 ,  2H092NA16 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094ED11 ,  5C094ED13 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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