特許
J-GLOBAL ID：200903070414172435
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055012
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244540
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 断面形状が凸型である半導体レーザをフリップチップ実装する際にも、傾いた状態でチップキャリヤにマウントされ、半導体レーザの光軸とチップキャリヤの中心軸とが平行の状態で固定され得ることなく半導体レーザを提供すること。【解決手段】 発光領域の両側または周囲に発光領域と同一層構造を有する支持部を設け、両側から発光領域を支え、傾きを防止し得るとともに、支持部と発光領域とに実装時の荷重を分散させ得る半導体レーザ。
請求項（抜粋）：
基板と、互いに平行に形成された複数の活性層ストライプと、埋込積層部とを備えた半導体レーザであって、該活性層ストライプはそれぞれ、該基板上に形成された第1の導波路層と、該第1の導波路層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された第2の導波路層とを含み、該埋込積層部は、該活性層ストライプの上面および側面に結晶成長によって形成され、該活性層ストライプの1つとその周囲の該埋込積層部とは発光領域を規定し、該発光領域の両外側に平行に第1および第2の分離構造が形成され、該第1の分離構造は、該1つの活性層ストライプと、その一方に隣接する別の活性層ストライプとの間で、該埋込積層部を分離し、該第2の分離構造は、該1つの活性層ストライプと、その他方に隣接する別の活性層ストライプとの間で、該埋込積層部を分離し、該別の活性層ストライプの少なくとも一部と、その周囲の該埋込積層部とは、該第1および第2の分離構造の外側に、それぞれ第1および第2の支持部を形成する、半導体レーザ。
Fターム (9件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA02
, 5F073DA04
, 5F073EA28
, 5F073FA30
