特許
J-GLOBAL ID：200903065921625545
高周波半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319019
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124435
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 RFモジュールのような受信系、送信系が一体になったオールインワン構造のモジュールパッケージとして、小型化、高密度実装化、高放熱化の相反する技術課題を満足する高性能パッケージを提供する。【解決手段】 セラミック基板2の下部にエポキシ樹脂と無機充填物からなる複合樹脂材料層10が形成されており、その層の下部は平坦な形状を有し、かつ外部接続用電極4が形成されており、その層の内部にはセラミック基板2に接続された半導体素子1a、1b及び1cや受動部品を埋没し、半導体1a、1b及び1cからの放熱を複合樹脂材料層10中に形成された層間接続構造ビアホール11から行う新しいパッケージを実現する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板の下部にエポキシ樹脂と無機充填物からなる複合樹脂材料層が形成され、その複合樹脂材料層の下部は平坦な形状を有し、かつ外部接続用電極が形成され、前記複合樹脂材料層の内部にはセラミック基板に接続された半導体素子や受動部品を埋没してなることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 23/29
, H01L 25/18
H01L 25/04 C
, H01L 23/36 A
5F036AA01
, 5F036BB21
, 5F036BE01
, 5F036BE09
