特許
J-GLOBAL ID：200903065964286582
深さ方向元素濃度分布評価法および界面位置決定法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-374352
公開番号（公開出願番号）：特開2004-205329
出願日： 2002年12月25日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】積層構造試料の界面領域について適正な評価を行う。【解決手段】SiO2/Si界面を有する試料のSiO2膜側から一次イオンO2+を照射して二次イオンを検出し、その試料の深さプロファイルを取得する際(ステップS1〜S3)、二次イオンとしてSi2N+を検出する。これにより、トランジェント領域を十分に短くし、試料表面の汚染物の影響を抑制することが可能になる。また、SiO2/Si界面に窒素を存在させた既知試料の深さプロファイルにおいて窒素を含まない二次イオンSi+,SiO+の検出強度に基づき(ステップS4,S5)、SiO2膜中およびSiO2/Si界面に窒素が存在する未知試料のSi+,SiO+の検出強度を用いて界面の位置を決定する(ステップS6〜S8)。これにより、未知試料内の窒素濃度分布に依らずその界面位置を決定できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の層と第2の層とが積層された試料にイオンビームを照射して前記試料から放出されるイオン種を検出し、前記第1の層内部および前記第1の層と前記第2の層との界面における元素濃度分布を評価する深さ方向元素濃度分布評価法において、
前記第1の層を構成している元素Aと前記元素A以外の前記第1の層および第2の層に含まれる元素MとによってAnM+(nは2以上の整数)で表される組成の分子イオンを検出して元素濃度分布を評価することを特徴とする深さ方向元素濃度分布評価法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2G001AA05
, 2G001BA06
, 2G001CA05
, 2G001FA02
, 2G001GA08
, 2G001GA09
, 2G001GA13
, 2G001KA01
, 2G001KA20
, 2G001LA11
, 2G001MA05
, 2G001NA03
, 4M106AA01
, 4M106AA12
, 4M106BA03
, 4M106CB02
, 4M106CB30
, 4M106DH60
