窒化物半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：前田弘 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039404
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220895
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】十分に大きな電流密度を得ることができるノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】基板601上にAlNバッファ層602、アンドープGaN層603、アンドープAlGaN層604、第1のp型AlGaN層605、第2のp型AlGaN層607、高濃度p型GaN層608が順に形成され、ゲート電極611が高濃度p型GaN層608とオーミック接合する。アンドープAlGaN層604上にはソース電極609及びドレイン電極610が設けられる。アンドープAlGaN層604とアンドープGaN層603との界面で発生する2次元電子ガスと第1のp型AlGaN層605および第2のp型AlGaN層607とによって生じるpn接合がゲート領域に形成される。また、第2のp型AlGaN層607はSiN膜606の一部を覆う。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の上方に設けられた第1の窒化物半導体層と、前記第1の窒化物半導体層の上に設けられ、前記第1の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、前記第2の窒化物半導体層の上または上方に設けられ、少なくともゲート領域に開口部が形成された絶縁膜と、ゲート領域に形成された前記開口部を埋めるように前記第2の窒化物半導体層の上または上方に設けられるとともに、前記絶縁膜の一部を覆うp型の第3の窒化物半導体層と、前記第3の窒化物半導体層の上または上方に設けられたゲート電極とを備えていることを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/808 , H01L 21/337 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (5件)：

H01L29/80 C , H01L29/80 H , H01L21/28 301R , H01L29/50 J , H01L21/28 301B

Fターム (28件)：

4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA10 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104EE06 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG11 , 5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GS04 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC19

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-058021 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-058021 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-048359 出願人：三菱電機株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-298241 出願人：国立大学法人名古屋大学

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