特許
J-GLOBAL ID：200903066102961400

トレンチ型絶縁ゲート半導体装置

発明者：
大月 正人

大月 正人 について

, 
藤平 龍彦

藤平 龍彦 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (2件)： 松本 洋一 ,  山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-222030
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054903
出願日： 2007年08月29日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
【課題】絶縁ゲート型半導体装置において、ターンオン損失と放射ノイズの両方の低減を図ること。【解決手段】第一のpベース領域10と第二のpベース領域9との間の第一トレンチ21に、第二トレンチ22を追加して、第三のpベース領域12を設け、これらの領域10、12、9の幅をこの順にa、b、cとする時、c>a>bなる関係を有し、第一トレンチ内に埋め込まれる導電層をゲート電極とし、第一のpベース領域10表面と第二トレンチ内に埋め込まれる導電層11とをエミッタ電極7に接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第一導電型ドリフト層と、このドリフト層の一方の表面内に形成される第二導電型のベース領域と、前記ベース領域の表面から形成され前記ドリフト層に達する深さであって内部にゲート酸化膜を介して埋設されたゲート電極を有する複数のトレンチを備えるトレンチ型絶縁ゲート半導体装置において、前記複数のトレンチが、該複数のトレンチ間に挟まれる幅の異なる三種類の第二導電型のベース領域を有し、幅の大きい順に第二ベース領域>第一ベース領域>第三ベース領域なる関係を有し、このうち第二ベース領域を挟むトレンチを第二トレンチ、第一ベース領域を挟むトレンチを第一トレンチ、第三ベース領域を挟むトレンチは第一トレンチと第二トレンチとすると、前記第一ベース領域は表面から第一トレンチの内壁面に沿って選択的に形成される第一導電型のソース領域を備え、エミッタ電極が前記第一ベース領域と前記ソース領域との両表面に共通に接触し、前記第一トレンチに埋設された導電層はゲート電極に接続され、前記第二トレンチに埋設された導電層は前記エミッタ電極と同電位に接続されるトレンチ型絶縁ゲート構造を有することを特徴とするトレンチ型絶縁ゲート半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (3件)：
H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (6件)
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