特許
J-GLOBAL ID：200903066443638594

基板処理方法および基板処理装置ならびに基板処理システム

発明者：
大野 宏樹

大野 宏樹 について

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小西 信夫

小西 信夫 について

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折居 武彦

折居 武彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117130
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327537
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】難剥離性のレジスト膜をその下地となっている基板や膜に損傷を与えずに除去する基板処理方法を提供する。【解決手段】イオン注入処理等によって形成されたレジスト硬化膜79を備えたウエハWを、このレジスト硬化膜79が所定温度の水蒸気に曝されるように処理することによってレジスト硬化膜79にポッピングを生じさせる(ステップ4)。これによりレジスト硬化膜79の表面にある硬化層79aに噴出口88が形成され、硬化層79aの内部の生レジスト部79bが露出する。次いでウエハWを乾燥し(ステップ5)、続いてウエハWをオゾンと水蒸気を含む処理ガスで処理して、生レジスト部79bを水溶性に変性させる(ステップ6)。その後にウエハWを水洗処理することによって、ウエハWからレジスト硬化膜79を除去する(ステップ7)。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
基板に設けられたレジスト膜にポッピングを発生させる工程と、 前記ポッピングが発生したレジスト膜を前記基板に残したまま水溶性に変質させる工程と、 前記水溶性に変質したレジスト膜を所定の洗浄液によって前記基板から除去する工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (3件)：
H01L21/027 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304
FI (5件)：
H01L21/30 572B ,  G03F7/42 ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 645B ,  H01L21/304 645Z
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096LA02 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10
引用特許：
審査官引用 (7件)
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