特許
J-GLOBAL ID：200903066784474115

半導体層の端面の形成方法および半導体装置

発明者：
河合 弘治

河合 弘治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127483
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313436
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板などの高価な基板を用いることなく、窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子の光放出端面を劈開により形成することができ、電極取り出しを上下両面から行うことができ、動作にも支障を生じないようにする。【解決手段】 C面サファイア基板1上にGaN系半導体層を多層に積層してレーザ構造を形成した後、その上にNi/Au膜7を形成する。(100)面方位のp型GaP基板8上にNi/Au/In膜9を形成する。Ni/Au膜7およびNi/Au/In膜9を介してC面サファイア基板1上のGaN系半導体層とp型GaP基板8とをそれらの劈開容易方向が一致するように接合後、C面サファイア基板1を除去し、p型GaP基板8をその劈開容易方向に沿って劈開することによりGaN系半導体層を劈開して共振器端面を形成する。
請求項（抜粋）：
基板を、この基板と接合された半導体層とともに劈開することによりこの半導体層の端面を形成するようにしたことを特徴とする半導体層の端面の形成方法。
IPC (2件)：
H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/02 ,  H01S 5/323 610
Fターム (13件)：
5F073AA08 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB21 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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