特許
J-GLOBAL ID：200903066813453840

半導体装置およびその製造方法

発明者：
中野 佑紀

中野 佑紀 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (6件)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  古澤 寛 ,  鈴木 泰光 ,  臼井 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-333530
公開番号（公開出願番号）：特開2009-260253
出願日： 2008年12月26日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】絶縁耐圧の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】第1n型導体層11、第2n型半導体層12、p型半導体層13、n型半導体領域14、トレンチ3、ゲート電極41およびゲート絶縁層5、を備えた半導体装置A1であって、境界側部K1と境界底部K2,K3とを備える、第2n型半導体層12とp型半導体層13との境界は、トレンチ3の側面に接する第1の部分と、幅方向yにおいて、トレンチ3の側面から離間している第2の部分と、を有しており、深さ方向xにおいて、上記第1の部分、ゲート電極41の底部、トレンチ3の底部および上記第2の部分が、この順番に存在している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型をもつ第1半導体層と、 この第1半導体層上に設けられ、上記第1の導電型と反対の第2の導電型を持つ第2半導体層と、 この第2半導体層を貫通して上記第1半導体層に達するトレンチと、 上記トレンチの表面に沿って、上記トレンチの底部および側部に形成された絶縁層と、 この絶縁層により上記第1半導体層および上記第2半導体層と絶縁されており、少なくとも一部が上記トレンチ内部に形成されたゲート電極と、 上記第2半導体層上に、かつ、上記トレンチの周囲に形成された上記第1の導電型をもつ半導体領域と、 を備えた半導体装置であって、 上記第1半導体層と上記第2半導体層との境界は、上記トレンチの側面に接する第1の部分と、上記トレンチの深さ方向と垂直である幅方向において、上記トレンチの側面から離間している第2の部分と、を有しており、 上記トレンチの深さ方向において、上記第1の部分、上記ゲート電極の底部、上記トレンチの底部および上記第2の部分が、この順番に存在していることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L29/78 652C ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 652J
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特開平01-192174号公報
審査官引用 (11件)
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