特許
J-GLOBAL ID：200903067287899184

複合半導体

発明者：
岡田 宣宏

岡田 宣宏 について

, 
栗原 正明

栗原 正明 について


出願人/特許権者：
旭化成株式会社

旭化成株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-092815
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298082
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 高い開放電圧(Voc)と高い曲線因子(F.F.)の発現が可能な光電変換素子と、それを用いた光化学電池を提供する。【解決手段】 結晶性n型半導体の表面を金属炭酸塩、金属酸化物およびチタン酸金属塩のいずれか1種以上を被覆してなることを特徴とする複合半導体を含有する半導体の膜が導電性支持体上に積層されてなる光電変換素子を用いる。
請求項（抜粋）：
結晶性n型半導体の表面を金属炭酸塩、金属酸化物およびチタン酸金属塩のいずれか1種以上を被覆してなることを特徴とする複合半導体。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01M 14/00
FI (2件)：
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (13件)：
5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB05 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16
引用特許：
審査官引用 (8件)
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