特許
J-GLOBAL ID：200903067477815874

高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

発明者：
原田 裕次

原田 裕次 について

, 
畠山 潤

畠山 潤 について

, 
草木 渉

草木 渉 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-272660
公開番号（公開出願番号）：特開2008-088343
出願日： 2006年10月04日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：
【課題】現像後の表面接触角を低く抑えることができると共に、液浸露光時の水の浸透が抑えられるレジスト材料の提供。【解決手段】下記一般式(1a)、(1b)、及び(1c)又は(2a)、(2b)、及び(2c)で表される繰り返し単位の組み合わせの高分子化合物を含むレジスト材料。(R1a、R1b、及びR1cはH、F、アルキル基又はフッ素化アルキル基。R2aはH、-R3-CO2H又は-R3-OH。R2cはフッ素化アルキル基。R3はフッ素を含んでもよい2価の有機基。R4はメチレン基又は酸素原子。R5はH又は-CO2R7。R6はH、メチル基又はトリフルオロメチル基。R7はH又はアルキル基。R8a、R8bは単結合又はアルキレン基。R9はフッ素化アルキル基。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記一般式(1a)、(1b)、及び(1c)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が1,000〜500,000の範囲であることを特徴とする高分子化合物。
IPC (5件)：
C08F 220/28 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/11 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
C08F220/28 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/11 501 ,  H01L21/30 502R
Fターム (33件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100BA02P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA20P ,  4J100BB10Q ,  4J100BB12Q ,  4J100BB18Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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