特許
J-GLOBAL ID：200903067806073469
不揮発性半導体記憶装置及びその読み出し方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264505
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085547
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】選択メモリトランジスタの読み出し電流を低下させずに、非選択メモリトランジスタのオフリーク電流を低減する。【解決手段】半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えたメモリトランジスタM11〜M22がワード方向とビット方向に複数配置されている。読み出し時に、複数のメモリトランジスタM11〜M22のうち非選択のメモリトランジスタM12,M22のゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、非選択セルからのオフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段(行バイアス回路)21を有する。
請求項（抜粋）：
半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えたメモリトランジスタをワード方向とビット方向に複数配置した不揮発性半導体記憶装置であって、読み出し時に、上記複数のメモリトランジスタのうち非選択のメモリトランジスタのゲート電極に、チャネル形成領域に対し順バイアスとなる方向で、かつ、オフリーク電流を低減する電圧値の順バイアス電圧を供給する順バイアス電圧供給手段を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
5F001AA14
, 5F001AA19
, 5F001AB02
, 5F001AD51
, 5F001AE03
, 5F001AF06
, 5F083EP17
, 5F083EP18
, 5F083EP77
, 5F083GA09
, 5F083GA11
