特許
J-GLOBAL ID：200903068144048511

量子井戸構造を有する半導体素子、および半導体素子を形成する方法

発明者：
京野 孝史

京野 孝史 について

, 
上野 昌紀

上野 昌紀 について

, 
秋田 勝史

秋田 勝史 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-234811
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268743
出願日： 2004年08月11日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】量子井戸構造内の界面の急峻性に優れた半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子1は、量子井戸構造を有する活性領域3を含む。活性領域3は、井戸領域5とバリア領域7とを含む。井戸領域5は、窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。バリア領域7aは、第1の半導体層9aおよび第2の半導体層11aを有する。第1の半導体層9aは、少なくとも窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。第2の半導体層11aは、少なくとも窒素およびガリウムを含むIII-V化合物半導体から成る。第1の半導体層9aは、第2の半導体層11aと井戸領域5との間に設けられている。第1の半導体層9aのインジウム組成は、第2の半導体層11aのインジウム組成より小さい。第1の半導体層9aのインジウム組成は、井戸領域5のインジウム組成より小さい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有する半導体素子を形成する方法であって、 窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V窒化物半導体から成る井戸膜を第1の温度で形成する工程と、 窒素、インジウムおよびガリウムを含むIII-V窒化物半導体から成る第1のバリア膜を前記井戸膜上に形成する工程と、 前記第1のバリア膜を形成した後に、成膜を行うこと無く温度を変更する工程と、 該温度の変化が完了した後に、III-V窒化物半導体から成る第2のバリア膜を前記第1の温度より大きい第2の温度で前記第1のバリア膜上に形成する工程と を備え、 前記第1のバリア膜は、前記第1の温度以上であり前記第2の温度未満である第3の温度で形成され、 前記第1のバリア膜のインジウム組成は、前記井戸膜のインジウム組成より小さい、方法。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (18件)：
5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EE12 ,  5F045EK28 ,  5F052JA07 ,  5F052KA03 ,  5F052KA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (9件)
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